半導体単結晶の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018272
Publication number (International publication number)：1994227886
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、従来の単結晶より大口径で欠陥の少ないSiC単結晶基板を提供することを目的とする。【構成】 SiCを昇華法または溶液法により成長する場合、種結晶の成長主面に接する側面を(0001)面及び(1-100) 面のいずれの面からも傾いた面で形成する。【効果】ファセットによる結晶径の広がりの阻害がないため、径の増大が容易であり、成長主面の平坦性が確保され、結晶欠陥の増加要因の1つがなくなる。

Claim (excerpt)：

バルク成長法により、ヘキサゴナール型単結晶よりなる種結晶上にヘキサゴナール型単結晶を成長させる半導体単結晶の製造方法において、前記種結晶の成長主面に接する側面は(0001)面及び(1-100) 面のいずれの面からも傾いた面のみを有する種結晶を用いることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。

IPC (8)：

C30B 9/04 , C30B 11/14 , C30B 17/00 , C30B 19/12 , C30B 23/02 , C30B 29/36 , H01L 21/203 , H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098148 Applicant：新日本製鐵株式会社

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