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J-GLOBAL ID：200903085983671714

薄膜の形成方法

Inventor： 保田 広安
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048140
Publication number (International publication number)：1993251427
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板上の酸化膜、窒化膜および金属膜等の薄膜に生じる熱応力の発生を低減させ、半導体装置の信頼性を向上させる薄膜の形成方法を提供すること。【構成】 半導体基板にあらかじめ歪応力を加えて薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法により上記目的は達成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に薄膜を形成する際に、この薄膜の形成によって生じる前記基板の反りに対し、この反りとは逆方向の反りをあらかじめ前記基板に加えることを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318