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J-GLOBAL ID：200903085985486957

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 土橋 芳男 ,  遠藤 恒雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994066789
Publication number (International publication number)：1995176675
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 リフローはんだ付け作業後の接続部の不良、樹脂封止体の膨れやクラックを防止しつつ、樹脂封止体内部の接続部をはんだ材料により形成する。【構成】 ハイブリットIC36は内部基板20と、全体を樹脂封止する樹脂封止体34とを備え、樹脂封止体34の内部で内部基板20に受動素子26がはんだ付け部27で電気的かつ機械的に接続されている。ハイブリットIC36のアウタリード19bはプリント配線基板60にリフローはんだ付け部63によって接続される。内部はんだ付け部27は融点がリフローはんだ付け部63のはんだ材料の融点よりも高いはんだ材料によって形成されている。【効果】 アウタリード19bがプリント配線基板60にリフローはんだ付け時、樹脂封止体34内部の高融点はんだ付け部27は溶融しないため、その接続部27のオープン不良や短絡不良は発生せず、樹脂封止体内ではんだ材料が溶融しないため、樹脂封止体34の膨れやクラックも発生しない。

Claim (excerpt)：

非気密封止体に封止され、はんだ材料によって形成されている接続部と、非気密封止体から突出されており、外部とはんだ材料によって接続されるアウタリードとを備えている半導体装置において、前記非気密封止体の内部における接続部は、前記アウタリードの外部とのはんだ接続に使用されるはんだ材料の融点を超える融点を有するはんだ材料によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/12 H ,  H01L 25/04 Z