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J-GLOBAL ID：200903085987248360

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 海野 秀之 ,  久良木 億 ,  逸見 学 ,  大藤 晋一 ,  小川 重男
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997233799
Publication number (International publication number)：1999074230
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子の厚みが100μm以下でも製造工程で割れや欠けが生じることがない薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21の回路形成面21aに接着後に接着力を低下させることが可能な第1の接着剤22によって第1の支持板23を接着する。半導体基板21に裏面側から薄膜化処理を施した後、接着後に接着力を低下させることが可能な第2の接着剤24によって半導体基板裏面に第2の支持板25を接着する。第1の接着剤22および第1の支持板23を剥離した後、第2の支持板25の裏面にダイシング用テープを貼着して半導体基板21を分割し、第2の支持板25を剥離する。

Claim (excerpt)：

薄膜状に形成した半導体素子を実装基板に実装する薄膜半導体装置の製造方法において、半導体基板を半導体素子毎に分割する以前であって回路を形成した後に、接着後に接着力を低下させることが可能な第1の接着剤を介して第1の支持板を前記半導体基板の回路形成面に接着し、この半導体基板に裏面側から薄膜化処理を施した後、接着後に接着力を低下させることが可能な第2の接着剤を介して前記裏面に第2の支持板を接着し、次に、前記第1の接着剤の接着力を低下させてこの第1の接着剤および前記第1の支持板を半導体基板から剥離し、次いで、前記第2の支持板の裏面にダイシング用テープを貼着して半導体基板を第2の支持板と共に分割することによって半導体素子を形成し、しかる後、第2の接着剤の接着力を低下させて前記半導体素子から第2の支持板を剥離することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (4)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 H ,  H01L 21/304 321 A