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J-GLOBAL ID：200903085991541153
プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027287
Publication number (International publication number)：1995221079
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ヘリコン波プラズマや誘導結合プラズマ等の高密度プラズマを用い、Cuを含有するAl系配線膜の良好なエッチングを行う。【構成】 ヘリコン波プラズマ装置のプロセス・チャンバ7の天板6をAl板にて構成し、かつこれをヒータ4で加熱可能な構成とする。このプロセス・チャンバ7内で、BCl3 /Cl2 等の通常の塩素系ガスを用いてAl-4%Cu膜をエッチングする。【効果】 蒸気圧の低いエッチング反応物CuClx は、加熱された上記天板6からヘリコン波プラズマPH との接触により供給されるAlClx と反応して蒸気圧の高いクロロアルミニウム銅に変化し、プロセス・チャンバ7外へ排気される。したがって、Cuに起因するエッチング残渣やパーティクルの発生が防止できる。
Claim (excerpt)：
基板を収容する高真空容器と、前記高真空容器内にイオン密度が1011/cm3 以上の高密度プラズマを生成させる少なくとも1基のプラズマ生成手段とを備え、前記高真空容器の内壁面の少なくとも一部がAl系部材を用いて構成され、かつ該Al系部材を加熱する加熱手段が設けられてなるプラズマ装置。
FI (2)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 G
