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J-GLOBAL ID：200903086006911142

半導体レーザの製造方法

Inventor： 高橋 省吾
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046231
Publication number (International publication number)：1993218593
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 拡散源によるフリーキャリア吸収の少ないMQW層無秩序型の窓構造レーザの製造方法を得る。【構成】 高濃度のZn拡散によってMQW層を無秩序化して窓構造を形成した後、拡散源を除去した状態で熱処理を行うことにより拡散領域のZnをさらに拡散させ濃度を下げる。【効果】 窓構造部分の拡散濃度を低減できるのでフリーキャリア吸収による損失の少ない窓構造レーザが作成できる。

Claim (excerpt)：

量子井戸構造の活性層を有し、その発光端面近傍の該量子井戸構造が無秩序化されて形成された窓構造を有する半導体レーザの製造方法において、量子井戸構造の活性層を備えた半導体レーザ構造の発光端面に相当する部分の上記量子井戸構造を不純物拡散によって無秩序化する工程と、上記無秩序化工程の後、不純物拡散の拡散源を除去した状態で熱処理を行い、上記無秩序化工程で形成された拡散領域の不純物をさらに拡散させて低濃度にする工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00