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J-GLOBAL ID：200903086024160685

シリコン基板の形成方法

Inventor： 楠川 喜久雄 ,  大倉 理 ,  茂庭 昌弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992222500
Publication number (International publication number)：1994069087
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】二枚のシリコン表面を有する基板の貼り合わせによる基板形成において、良好な貼り合わせ界面を持つ基板を550〜800°Cの熱処理温度で形成する方法を提供することを目的とする。【構成】単結晶シリコン基板1表面に酸化膜2及び非晶質シリコン膜3を形成し、この単結晶シリコン基板1及び単結晶シリコン基板2を通常の洗浄処理後に弗酸水溶液処理を行ない、直ちに重ね合わせる。次に、600°Cの水素雰囲気中で4時間の熱処理を行なうことによって単結晶シリコン基板1と単結晶シリコン基板2を貼り合わせる。【効果】本発明によれば、シリコン表面を有する二枚の基板の貼り合わせ界面を550〜800°Cの熱処理でい貼り合わせが可能となると共に、その界面は電気的接続が可能であり、また急峻な不純物プロファイルの形成も可能となる。

Claim (excerpt)：

二枚のシリコン基板を貼り合わせて新たなシリコン基板を形成するにおいて、単結晶シリコン表面を有する基板及び非晶質シリコン表面を有する基板の表面自然酸化膜を除去することにより清浄なシリコン表面を形成する工程と、上記二枚のシリコン基板を弗酸水溶液処理を行う工程と、上記弗酸水溶液処理の後に二枚のシリコン基板の表面を接触させることによって重ね合わせる工程と、上記重ね合わせたシリコン基板を熱処理する工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12