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J-GLOBAL ID：200903086029497300

二次元画像検出器およびその製造方法

Inventor： 寺沼 修 ,  和泉 良弘
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000019334
Publication number (International publication number)：2001210813
Application date： Jan. 27, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く(効率的に)かつ安価に製造する方法を提供する。【解決手段】 二次元画像検出器は、複数の画素電極10...を有するアクティブマトリクス基板1と、上記画素電極10...に積層された光導電層2とを少なくとも備えており、上記光導電層2が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板1上に転写されることにより構成されている。つまり、二次元画像検出器の製造方法は、転写基板上で所定の膜厚に光導電層2を形成した後、該光導電層2を上記アクティブマトリクス基板1上に転写する方法である。光導電層2は、粒子状の光導電体と、バインダとの混合物を含んでなっている。上記バインダは、アクティブマトリクス基板1の耐熱温度以下の軟化点を有することがより好ましい。

Claim (excerpt)：

複数の画素電極を有するアクティブマトリクス基板と、上記画素電極に積層された光導電層とを少なくとも備えた二次元画像検出器において、上記光導電層が、別の基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板上に転写されたものであることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  G01T 1/00 ,  H01L 31/09

FI (3)：

G01T 1/00 B ,  H01L 27/14 E ,  H01L 31/00 A

F-Term (29)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB08 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118GA10 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088AB19 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB18 ,  5F088CB20 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA20 ,  5F088LA01 ,  5F088LA03 ,  5F088LA08