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J-GLOBAL ID：200903086031844514

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小山 邦明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993258786
Publication number (International publication number)：1995115133
Application date： Oct. 18, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】多層配線構造において、工程数の減少と、コンタクト孔への配線材料の埋め込みと、コンタクト孔のアスペクト比の低減とを同時に実現する。【構成】(n+1)層目の配線層24のコンタクト孔22をn層目の配線層14の配線材料の一部23で埋め込み、かつ、(n+1)層目の配線層24とn層目の配線層14との絶縁は、n層目の配線層14の上面および側面にそれぞれ自己整合的に形成された上面絶縁膜3および側壁絶縁膜4により行う。

Claim (excerpt)：

第1および第2の被接続部上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層に形成されて前記第1および第2の被接続部にそれぞれ達する第1および第2のコンタクト孔と、前記第1のコンタクト孔を充填して前記第1の被接続部に接続する第1の埋込み導体物と、前記第1の埋込み導体物と連続的に形成されて前記層間絶縁層の上面に被着形成された、n(nは自然数)層目の第1の導体層と、前記第1の導体層の上面および側面をそれぞれ覆う上面絶縁膜および側壁絶縁膜と、前記第1の導体層の主材料と同一の材料で前記第2のコンタクト孔を充填することにより前記第2の被接続部に接続する第2の埋込み導体物と、前記第2の埋込み導体物および前記層間絶縁層の上面に被着しかつ前記上面絶縁膜および側壁絶縁膜に被着して該上面絶縁膜および側壁絶縁膜により絶縁分離した状態で前記第1の導体層と重畳する(n+1)層目の第2の導体層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/88 P