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J-GLOBAL ID：200903086037166186

マイクロ波励起プラズマ処理装置

Inventor： 山内 健資 ,  青木 克明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997269451
Publication number (International publication number)：1999111495
Application date： Oct. 02, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 大型の被処理物に対応した大型のチャンバにおいて、プラズマを均一に発生することが可能なマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 上部にプラズマ生成室が形成され、このプラズマ生成室の下方に被処理部材を処理する処理室が形成されたチャンバと、プラズマ生成室内に処理ガスを供給するためのガス供給管と、チャンバの上壁部の開口に配置された開口孔を有する金属板と、金属板上に配置された誘電体窓と、誘電体窓を含むチャンバの上壁部に対向して配置され、誘電体窓にマイクロ波を伝播させる開口を形成した矩形状の導波管と、マイクロ波を発振するマイクロ波発振器とを有する。

Claim (excerpt)：

上部にプラズマ生成室が形成され、このプラズマ生成室の下方に被処理部材を処理する処理室が形成されたチャンバと、前記プラズマ生成室内に処理ガスを供給するためのガス供給管と、前記チャンバの上壁部の開口に配置された開口孔を有する金属板と、前記金属板上に配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を含む前記チャンバの上壁部に対向して配置され、前記誘電体窓にマイクロ波を伝播させる開口を形成した矩形状の導波管と、マイクロ波を発振するマイクロ波発振器とを有することを特徴とするマイクロ波励起プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H