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J-GLOBAL ID：200903086045432979
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993195688
Publication number (International publication number)：1995050365
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 特殊なエポキシ樹脂組成物のダイボンド剤と飽和吸水率が低い封止樹脂を用いる為、TCTテストで評価される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置を提供する。【構成】 特殊なエポキシ樹脂、硬化剤および平均粒子径5μm以下の充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物を半導体素子/ダイボンドプレ-ト間の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率0.4重量%以下の封止樹脂を用いて半導体素子を封止するという構成をとる。
Claim (excerpt)：
下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を半導体素子/ダイボンドプレ-ト間の接着に使用し、なおかつ飽和吸水率0.4重量%以下の封止樹脂を用いて封止された半導体装置。(A)化1、化2および化3より選ばれる少なくとも一種を用いるエポキシ樹脂と化4で表されるシリコ-ン化合物を反応させて得られる反応物。【化1】〔但し、Glyはグリシジル基、R1 〜R6 は水素又は一価の炭化水素基である。〕【化2】〔但し、Glyはグリシジル基、R1 〜R4 は水素又は一価の炭化水素基である。〕【化3】〔但し、Glyはグリシジル基、R1 〜R4 は水素又は一価の炭化水素基である。〕【化4】〔但し、R’、R’’およびR1 〜R6 は一価の炭化水素基、又はNH2 基、又は末端にNH2 基を含む一価の炭化水素基、又は水酸基を含む一価の炭化水素基である。またnは0〜30の整数である。〕(B)硬化剤。(C)平均粒子径5μm以下の充填剤。
IPC (6)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/14 NHB
, C08G 59/24 NHQ
, C08G 59/30 NHR
, C08L 63/00 NKT
