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J-GLOBAL ID：200903086048047715

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 津田 尚徳 ,  渡辺 秀則 ,  小泉 徹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993058912
Publication number (International publication number)：1994275630
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高速で電流増幅率の大きな半導体装置を提供する。【構成】 エミッタとなるN+領域10に炭素イオンC+を打ち込んでシリコン結晶を破壊し、炭素を混入させることで、結晶性シリコンより禁制帯幅の広い半導体材料であるSi1-x Cx 層を形成する。

Claim (excerpt)：

SOI基体上にエミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域を横型に形成してなる半導体装置において、エミッタ側あるいはコレクタ側の少なくとも一方に結晶性シリコンより禁制帯幅の広い半導体から構成された半導体を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/165