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J-GLOBAL ID：200903086051343899

半導体レーザ

Inventor： 高木 和久
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995226125
Publication number (International publication number)：1997074243
Application date： Sep. 04, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 第1,第2レーザ構造を有する半導体レーザにおいて、各レーザ構造の間隔を充分空けても、発生するレーザ光を単峰のビーム形状とすることを目的とする。【解決手段】 第1レーザ構造14,トンネルダイオード構造15,及び第2レーザ構造16を積層するように順次成長させた半導体レーザにおいて、上記第1レーザ構造14及び第2レーザ構造16の屈折率よりも屈折率が大きい光導波層8を、上記第2レーザ構造16とトンネルダイオード構造15との間に設けたものである。

Claim (excerpt)：

第1レーザ構造,トンネルダイオード構造,及び第2レーザ構造を積層するように順次成長させ、上記第1レーザ構造,及び第2レーザ構造の順方向が当該半導体レーザの順方向と同じ向きとなり、上記トンネルダイオード構造の順方向が当該半導体レーザの順方向と逆向きとなるようにしてなり、順方向に電流を流したときレーザ光を発生する半導体レーザにおいて、上記第1レーザ構造,及び第2レーザ構造の屈折率よりも屈折率が大きい光導波層を、上記第2レーザ構造とトンネルダイオード構造との間,または上記第1レーザ構造とトンネルダイオード構造との間のいずれか一方に設けたことを特徴とする半導体レーザ。