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J-GLOBAL ID：200903086056866261

薄膜半導体装置

Inventor： 猪野 益充 ,  浦園 丈展
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274601
Publication number (International publication number)：1996116066
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのゲート構造を改善し低抵抗化を図ると共に閾値電圧変動を抑制する。【構成】 薄膜半導体装置は、半導体薄膜1を活性層とする薄膜トランジスタ2が絶縁基板3上に集積形成されている。薄膜トランジスタ2は金属材料からなるゲート電極4とSi3 N4 層5を備えたゲート絶縁膜6とを有している。このSi3 N4 層5はゲート電極4と活性層との間に介在し、金属材料に含まれる不純物のゲッターとして機能する。Si3 N4 層5の上下にはSiO2 層7,8が重ねられており、金属ゲート電極4に発生する応力を緩和する。

Claim (excerpt)：

半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタが絶縁基板上に集積形成された薄膜半導体装置であって、該薄膜トランジスタは、金属材料からなるゲート電極と、該ゲート電極と該活性層との間に介在し該金属材料に含まれる不純物のゲッターとなるSi3 N4 層を備えたゲート絶縁膜とを有する事を特徴とする薄膜半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 617 M