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J-GLOBAL ID:200903086067865275

極低膨張透明ガラスセラミックス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 坂本 徹 ,  原田 卓治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003327892
Publication number (International publication number):2005089272
Application date: Sep. 19, 2003
Publication date: Apr. 07, 2005
Summary:
【課題】次世代LSI用リゾグラフィー技術に対応し得る、極低膨張特性と超平滑表面を兼ね備えた極低膨張ガラスセラミックス、それを用いたマスク、光学系反射ミラー、ウエハーステージ、レチクルステージ等の半導体製造装置構成部材、あるいは各種精密品用部材を提供する。【解決手段】0°C〜50°Cの温度範囲において、平均線膨張係数が0.0±0.2×10-7/°C以内ならびにΔL/Lの最大値-最小値が10×10-7以内の範囲であり、SiO2、Al2O3、P2O5を含有し、その合計量が質量百分率で86.0〜89.0%であることを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
0°C〜50°Cの温度範囲において、平均線膨張係数が0.0±0.2×10-7/°C以内ならびにΔL/Lの最大値-最小値が10×10-7以内の範囲であり、SiO2、Al2O3、P2O5を含有し、その合計量が質量百分率で86.0〜89.0%であることを特徴とするガラスセラミックス。
IPC (5):
C03C10/14 ,  C03B32/02 ,  G02B1/00 ,  G03F1/14 ,  H01L21/027
FI (6):
C03C10/14 ,  C03B32/02 ,  G02B1/00 ,  G03F1/14 B ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 503A
F-Term (63):
2H095BC27 ,  4G015EA02 ,  4G062AA11 ,  4G062BB01 ,  4G062DA06 ,  4G062DB04 ,  4G062DC01 ,  4G062DD07 ,  4G062DE02 ,  4G062DF01 ,  4G062EA03 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED03 ,  4G062EE03 ,  4G062EF01 ,  4G062EG03 ,  4G062FA01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FC03 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ04 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM02 ,  4G062NN30 ,  4G062QQ02 ,  5F046CB02 ,  5F046CB17 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特公平3-77137公報
  • 米国特許4851372号明細書
  • 特許第2668057号明細書
Cited by examiner (5)
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