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J-GLOBAL ID：200903086070207181

窒化物系半導体素子

Inventor： 畑 雅幸 ,  林 伸彦 ,  冨永 浩司 ,  野村 康彦 ,  國里 竜也 ,  大保 広樹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001239326
Publication number (International publication number)：2003051612
Application date： Aug. 07, 2001
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】素子形成領域の窒化物系半導体層にクラックが発生するのを有効に防止するとともに、基板の反りを低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体素子は、サファイア基板1上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するGaN層3を含むとともに、素子が形成される素子形成領域6と、サファイア基板1上の素子形成領域6以外の領域に形成され、GaN層3が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域7とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板上の所定領域に形成され、所定の厚みを有する第1窒化物系半導体層を含む素子が形成される第1領域と、前記基板上の前記第1領域以外の領域に形成され、前記第1窒化物系半導体層が前記第1領域における厚みよりも小さい厚みで設けられた第2領域とを備えた、窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (16)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-365725   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-170822   Applicant：シャープ株式会社