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J-GLOBAL ID：200903086071685370

レジストパターン形成方法

Inventor： 田中 稔彦 ,  森上 光章
Applicant, Patent owner： 株式会社ソルテック
Agent (1)： 吉原 省三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083838
Publication number (International publication number)：1994275514
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 密集した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレジストパターン形成方法を提供せんとするものである。【構成】 所望のパターンを露光したレジスト2の現像後、リンスを行い、そのリンス液5を切らないうちに、感光々を全面照射した上、最後に乾燥させて、レジストパターン2aを完成させる。

Claim (excerpt)：

レジストに対して所望のパターンを露光し、該レジストを現像した後、リンスすると共に、リンス液を乾燥させてレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、前記現像処理とリンス処理の間に、又はリンス処理中に、液中でレジストの強度を上げる処理を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2)：

H01L 21/30 361 L ,  H01L 21/30 361 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-031122
  
• 特開昭56-078836
  
• 特開昭56-078837