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J-GLOBAL ID：200903086073469519

処理装置

Inventor： 大森 伝 ,  原田 浩二 ,  佐藤 尊三 ,  穴井 徳行 ,  野村 雅文
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034204
Publication number (International publication number)：1994232035
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】[目的]処理容器における処理ガス雰囲気の濃度を高精度に制御し、処理ガスの液滴化現象およびそれに付随した不具合を解消する。[構成]処理液供給部10は、HMDS液を貯溜するタンク12と、このタンク12から処理容器10内へHMDS液を必要な時に必要な量だけ送出する処理液送出機構14とを有している。処理容器30は密閉可能なチャンバで、排気管40を介してエゼクタ42に接続されている。容器30内には、半導体ウエハWを載置するための基板載置台34が設置されるとともに、基板載置台34の回りに環状の支持リング36が配置されている。支持リング36の上面には、適当な間隔を置いて数箇所に、凹状の液受け部50A,50Bが設けられている。HMDS液を供給するための配管16A,16Bは、液受け部50A,50Bまで引かれている。

Claim (excerpt)：

処理ガスの雰囲気中に被処理体を晒して所定の処理を行う処理容器と、前記処理容器内に所定量の処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理容器内に供給された前記所定量の処理液を気化させて前記処理ガスを生成する手段と、を具備する処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 501