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J-GLOBAL ID：200903086092488931
有機薄膜素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337423
Publication number (International publication number)：1995202296
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 DA錯体の種類に依存せずに中性基底状態とイオン性励起状態とのエネルギー差が小さい有機薄膜層を有する有機薄膜素子を提供する。【構成】 1対の電極間に交互積層型電荷移動錯体からなる有機薄膜層を有する有機薄膜素子において、錯体積層カラムに垂直な面内で任意の分子を中心としてその隣接分子に着目し、中心分子と同種の分子の数Niと中心分子と異種の分子の数Ndとの構成比をr=Ni/Ndとしたとき、(a)有機薄膜層がバルク結晶では中性を示す錯体からなり、かつこの有機薄膜層を構成する分子のうちrがバルク結晶におけるrより小さい分子が50%以上を占める;または(b)有機薄膜層がバルク結晶ではイオン性を示す錯体からなり、かつこの有機薄膜層を構成する分子のうちrがバルク結晶におけるrより大きい分子が50%以上を占める;という条件のいずれか一方を満たす。
Claim (excerpt)：
1対の電極間に交互積層型電荷移動錯体からなる有機薄膜層を有する有機薄膜素子において、錯体積層カラムに垂直な面内で任意の分子を中心としてその隣接分子に着目し、中心となる分子と同種の分子の数Niと中心となる分子と異種の分子の数Ndとの構成比をr=Ni/Ndとしたとき、前記有機薄膜層がバルク結晶では中性を示す錯体からなり、かつこの有機薄膜層を構成する分子のうち前記構成比rがバルク結晶における構成比rより小さい分子が50%以上を占めることを特徴とする有機薄膜素子。
IPC (3)：
H01L 51/00
, G09F 9/313
, H01L 33/00
