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J-GLOBAL ID：200903086103489110
半導体装置用フィルムキャリア
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991172550
Publication number (International publication number)：1994013434
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】ウイスカを発生させることなく、機械的強度も強く更に酸化腐食を起すことなく、多ピン化を大幅に増加させることが出来る新規な半導体装置用フィルムキャリアを提供する。【構成】インナーリード6及びアウターリード7は図1に示すようにNi又はNi合金のメッキ層9が全面に、その上に少なくともインナーリード6及びアウターリード7の半導体素子12の電極及び配線基板16との接合面にPd又はPd合金めっき層10が施され、インナーリード6及びアウターリード7の全面は、めっき層9又は10で被覆されている。
Claim (excerpt)：
半導体素子の電極と接合されるインナーリードと、このインナーリードに連設された外部配線基板と接合されるアウターリードを可撓性絶縁フィルム上にパターン形成した半導体装置用フィルムキャリアにおいて、少なくとも前記インナーリード及びアウターリードの半導体素子の電極及び配線基板との接合面に、Pd又はPd合金のめっき層が施されていることを特徴とする半導体装置用フィルムキャリア。
Patent cited by the Patent：
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