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J-GLOBAL ID：200903086110289623

CVD反応装置および酸化物超電導導体の製造方法

Inventor： 尾鍋 和憲 ,  定方 伸行 ,  斉藤 隆 ,  河野 宰 ,  山口 太一 ,  飯島 康裕 ,  長屋 重夫 ,  平野 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995122891
Publication number (International publication number)：1996319569
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、長尺基材に対し組成や膜質の安定した酸化物超電導薄膜などの薄膜を形成できるCVD反応装置と酸化物超電導導体の製造方法の提供を目的とする。【構成】 本発明は、反応チャンバを基材導入部と反応生成室と基材導出部に隔壁を介して区画し、各隔壁に基材通過孔を形成し、反応チャンバ内部に基材搬送領域を形成するとともに、前記原料ガス供給機構を、原料ガスの供給源と反応チャンバの反応生成室の一側に原料ガス供給源に接続されて設けられたガス拡散部とを具備して構成し、前記ガス排気機構を、前記ガス拡散部形成側と反対側に前記基材搬送領域の両側に位置して設けられたガス排気孔とこのガス排気孔に接続されたガス排気装置とを具備して構成し、前記ガス拡散部と前記ガス排気孔を基材搬送領域を挟んで対向してなるものである。

Claim (excerpt)：

原料ガスを化学反応させて基材表面に反応生成物を堆積させるCVD反応を行う反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、該反応チャンバ内のガスを排気するガス排気機構とが備えられたCVD反応装置において、前記反応チャンバが、基材導入部と反応生成室と基材導出部とにそれぞれ隔壁を介して区画され、各隔壁に基材通過孔が形成され、前記反応チャンバの内部に基材導入部と反応生成室と基材導出部を通過する基材搬送領域が形成されるとともに、前記原料ガス供給機構が、原料ガスの供給源と反応チャンバの反応生成室の一側に原料ガス供給源に接続されて設けられたガス拡散部とを具備して構成され、前記ガス排気機構が、前記ガス拡散部形成側と反対側に前記基材搬送領域の両側に位置して設けられたガス排気孔とこのガス排気孔に接続されたガス排気装置とを具備して構成され、前記ガス拡散部と前記ガス排気孔が基材搬送領域を挟んで対向されてなることを特徴とするCVD反応装置。

IPC (6)：

C23C 16/40 ZAA ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/08 ,  C30B 25/14 ,  H01B 13/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (6)：

C23C 16/40 ZAA ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/08 ,  C30B 25/14 ,  H01B 13/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• CVD反応装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-222269   Applicant：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社