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J-GLOBAL ID：200903086119139381

半導体レーザ装置

Inventor： 宮内 伸幸
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993067277
Publication number (International publication number)：1994283805
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 外部基板等への接続の簡易化、小型化及び信頼性の向上を図る。【構成】 壁面の一部が開口した凹部Aを有する面実装タイプの絶縁基板1に凹部A底面より基板外部まで貫通する金属部2を設け、金属部2上に、端面発光タイプの半導体レーザチップ8を発光面が前記壁面の開口部を向くよう搭載してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁基板に、壁面の一部が開口した凹部を形成するとともに前記凹部より基板外側に回り込む立体配線を施し、且つ前記凹部底面より基板外部まで貫通する金属部を設けてなり、前記金属部上にサブマウントを介して、端面発光タイプの半導体レーザチップを該チップの発光面が前記壁面の開口部を向くよう搭載してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-198380
  
• 特開昭54-123887
  
• 特開平1-283985
  
• 特開昭53-030289
  
• 特開平4-246876