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J-GLOBAL ID:200903086132770597
高分子光導波路及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤本 博光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997337251
Publication number (International publication number):1999174247
Application date: Dec. 08, 1997
Publication date: Jul. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】 クロストーク、透過損失並びに結合損失を少なくできるようにする。【解決手段】 広くて浅い第1の溝部10の底部中央に、所望の光導波路コア部寸法の断面積を持った第2の溝部11が形成された構造を有する。すなわち、第1の溝部10の開口幅は、第2の溝部11の開口幅より広く、高分子クラッド基板の表面から第1の溝部10の底部までの深さは、第1の溝部10の底部から第2の溝部11の底部までの深さよりも浅い。
Claim (excerpt):
高分子クラッド基板の表面に溝を形成し、該溝中にコア材料を注入して光導波路コア部を形成する高分子光導波路において、前記溝は、前記高分子クラッド基板の最表面に形成される第1の溝部と、該第1の溝部の底部に形成され、所望の光導波路コア部の幅を有する第2の溝部とからなり、第1の溝部の開口幅は、第2の溝部の開口幅より広く、高分子クラッド基板の表面から第1の溝部の底部までの深さは、第1の溝部の底部から第2の溝部の底部までの深さよりも浅いことを特徴とする高分子光導波路。
IPC (2):
FI (2):
G02B 6/12 N
, G02B 6/12 M
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