半導体圧力センサ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016383
Publication number (International publication number)：2000214024
Application date： Jan. 26, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体基板に対するピエゾ抵抗素子の形成領域をできる限り増加させることなしに検出感度の向上を図る。【解決手段】電流の流れる方向が印加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子Rの湾曲部3の幅寸法W1を、応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子Rの部位(直線部4)の幅寸法W2よりも大きく形成する。これにより、印加圧力に対する応力によって抵抗値が変化しないピエゾ抵抗素子Rの湾曲部3の抵抗値が小さくなり、半導体基板1に対するピエゾ抵抗素子Rの形成領域をできる限り増加させることなく応力に対するピエゾ抵抗素子Rの抵抗値変化を大きくして圧力の検出感度を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板にピエゾ抵抗素子を形成し外部から印加される圧力によって変化するピエゾ抵抗素子の抵抗値に基づいて印加圧力を検出する半導体圧力センサにおいて、電流の流れる方向が印加圧力に対する応力の方向と異なるピエゾ抵抗素子の部位を湾曲させるとともにこの湾曲部におけるピエゾ抵抗素子の幅寸法を応力と略平行な方向に電流が流れるピエゾ抵抗素子の部位の幅寸法よりも大きく形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84

FI (2)：

G01L 9/04 101 , H01L 29/84 B

F-Term (12)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD04 , 2F055EE14 , 2F055FF11 , 2F055GG16 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA05 , 4M112CA09 , 4M112EA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

圧力検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-098975 Applicant：株式会社不二工機
特開昭55-124001

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体圧力センサ -総論-
ひずみゲージとその応用, 19681128

Return to Previous Page