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J-GLOBAL ID：200903086144243975

シリサイドを用いたポリシリコン薄膜トランジスタ及び製造方法

Inventor： 張 震 ,  李 庭夏 ,  柳 在一
Applicant, Patent owner： エルジー電子株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997185997
Publication number (International publication number)：1998098199
Application date： Jun. 27, 1997
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 シリサイドを用いたポリシリコンTFT並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 基板10と、前記基板上のポリシリコン層11と、前記ポリシリコン層上のゲート絶縁膜13と、前記絶縁膜上のゲート電極14と、そして前記ゲート電極の両側の半導体層16上に形成されるソース及びドレイン電極15と、ドーピングされたニッケルシリサイド12とを備えることを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上のポリシリコン層と、前記ポリシリコン層上のゲート絶縁膜と、前記絶縁膜上のゲート電極と、前記ゲート電極の両側の半導体層上に形成されるソース及びドレイン電極と、を備えることを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 617 M ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-203322
  
• 特開昭61-278163