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J-GLOBAL ID:200903086146865086

高密着性炭素皮膜形成材及びその製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998257298
Publication number (International publication number):2000087218
Application date: Sep. 10, 1998
Publication date: Mar. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 金属またはセラミックからなる基材の表面に、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数のDLC膜を密着性よく形成し、摺動部材等として耐久寿命の著しく改善された硬質皮膜形成材を提供すること。【解決手段】 金属またはセラミックからなる基材の表面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成すると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成元素と皮膜構成元素とからなる厚さ10〜500Åの混合層を形成し、高密着性非晶質炭素皮膜形成材を得る。
Claim (excerpt):
金属またはセラミックからなる基材の表面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成すると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成元素と皮膜構成元素とからなる厚さ10〜500Åの混合層を形成することを特徴とする高密着性非晶質炭素皮膜形成材の製法。
IPC (2):
C23C 14/06 ,  C23C 14/32
FI (2):
C23C 14/06 F ,  C23C 14/32 F
F-Term (20):
4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029BA02 ,  4K029BA07 ,  4K029BA09 ,  4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA34 ,  4K029BA35 ,  4K029BA55 ,  4K029BA64 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BC00 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
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