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J-GLOBAL ID：200903086149506036

トレンチ素子分離膜の形成方法

Inventor：
安 東 浩

About 安 東 浩


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001359530
Publication number (International publication number)：2002203895
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】 トレンチ素子分離膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明よるトレンチ素子分離膜の形成方法は、基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第1埋立酸化膜でトレンチを充填する段階と、第1埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、トレンチのライナの上部を露出する段階と、ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第2埋立酸化膜でトレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含む。本発明で、基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、通常、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングして実施され、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間に、トレンチの内壁にエッチング損傷を修復するためのアニーリングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことができる。
Claim (excerpt)：
基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第1埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、前記第1埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第2埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
F-Term (13)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032AA49 ,  5F032AA70 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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