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J-GLOBAL ID:200903086175699535

半導体ガス検出装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高野 明近 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992321189
Publication number (International publication number):1994148116
Application date: Nov. 05, 1992
Publication date: May. 27, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体ガス検出装置において、ガス検出前のセンサ出力を安定状態に保ち、ガス検出後のセンサ出力を迅速に正常状態に復帰させる。【構成】 T1はガス検出に適した温度(適温)、T2は半導体表面に吸着したガスを脱離させるための前記温度T1より高に温度(高温)で、ガスを検出する前にセンサ温度を一度高温T2まで上げ、以降、前記適温(T1)と高温(T2)を交互にくり返し、適温時に、ガスの検出を行い、高温時に、センサに吸着した雰囲気ガスをパージ(クリーニング)し、次のガス検出に当ってのセンサの電気伝導度を安定させる。
Claim (excerpt):
空中に張り出して設けられた電気絶縁性材料からなる張出部と、該張出し部上に設けられたガス検出用の金属酸化物半導体と、該金属酸化物半導体に接触する電極リードと、前記金属酸化物半導体を加熱するためのヒータとを有する半導体ガス検出装置において、前記ヒータをガス検出温度に加熱する電圧(電流)を印加する手段と、該温度より高い温度に加熱する電圧(電流)を印加する手段と、これらの手段を外部信号により切り替える切り替え手段とを有することを特徴とする半導体ガス検出装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平4-128645
  • 特開平3-020658

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