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J-GLOBAL ID：200903086178238130
プラズマエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996002397
Publication number (International publication number)：1997191002
Application date： Jan. 10, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 SiO2 等の酸化シリコン系材料層2をパターニングするにあたり、半導体基板1等の下地材料層との高選択比および高エッチングレートを共に達成する。【解決手段】 ヘキサフルオロ-2-ブチン等、特定構造の化合物をエッチングガスとして採用する。【効果】 これら化合物がプラズマ中で解離することにより、酸化シリコン系材料層2のエッチャントであるCFx 系化学種が容易かつ大量に生成する。したがって、高速エッチングが可能となる。またコンタクトホール4底部に露出した半導体基板1上においては、カーボンリッチなポリマ5が堆積することにより、高選択比が得られる。
Claim (excerpt)：
下地材料層上の酸化シリコン系材料層を、前記下地材料層に対して選択的にエッチングするプラズマエッチング方法であって、ヘキサフルオロ-2-ブチン、ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエンおよびヘキサフルオロプロペンからなる群から選ばれる、いずれか少なくとも1種の化合物をエッチングガスとして用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
