Pat
J-GLOBAL ID：200903086194744193

パターンの形成方法および電子デバイスの製造方法

Inventor：
橋 幸弘

About 橋 幸弘


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003375583
Publication number (International publication number)：2005142274
Application date： Nov. 05, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 製造効率を向上させることができるパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 被処理面上に、液体との接触角を変更できる接触角可変膜11を形成する第1工程と、接触角可変膜11の接触角を加熱により変更し、接触角の大きい撥液領域11bを形成することにより、撥液領域11bおよび親液領域11aからなる所定パターンを形成する第2工程と、親液領域11aに第1機能液12Lを塗布して固化する第3工程と、撥液領域11bに接触角制御材13Lを接触させて加熱することにより、撥液領域11bの接触角を減少させて撥液性を緩和する第4工程と、撥液性が緩和された領域に第2機能液を塗布して固化する第5工程と、を有することを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
被処理面上に、液体との接触角を変更できる接触角可変膜を形成する第1工程と、 前記接触角可変膜の接触角を加熱により変更し、接触角の大きい撥液領域を形成することにより、撥液領域および親液領域からなる所定パターンを形成する第2工程と、 前記親液領域に第1機能液を塗布して固化する第3工程と、 前記撥液領域に接触角制御材を接触させて加熱することにより、前記撥液領域の接触角を減少させて撥液性を緩和する第4工程と、 撥液性が緩和された領域に第2機能液を塗布して固化する第5工程と、 を有することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (6)：
H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786
FI (5)：
H01L21/88 B ,  G02F1/1343 ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/90 Q ,  H01L29/78 627C
F-Term (33)：
2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA26 ,  2H092NA27 ,  4M104AA09 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104GG20 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR09 ,  5F033SS22 ,  5F033VV15 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110HL07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN41 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM