Pat
J-GLOBAL ID：200903086215384354
レーザ照射方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998219200
Publication number (International publication number)：2000058477
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 粒径分布が均一で、かつ粒子の配列状態が良好な大粒径多結晶シリコン膜を形成するレーザ照射方法を提供すること。【解決手段】 矩形状の照射領域を有するパルスレーザ光を、非単結晶半導体薄膜に対し、同一地点に複数回照射する。パルスレーザ光の光照射領域長辺方向のエネルギープロファイルは、(a)非晶質半導体薄膜の微結晶化エネルギーEa以上の第一の領域と、その両側に位置するエネルギー密度Ea未満の第二の領域とを有するプロファイルとし、(b)第一の領域と第二の領域との境界点から1μmにわたる境界領域において、エネルギー密度勾配の絶対値を20〜300J/cm3とする。
Claim (excerpt)：
パルスレーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射し多結晶半導体薄膜を形成するレーザ照射方法であって、該パルスレーザ光の光照射領域中の一方向に沿ったエネルギープロファイルが下記条件(A)、(B)を満たし、該パルスレーザ光を同一地点に複数回照射することを特徴とするレーザ照射方法。(A)非晶質半導体薄膜の微結晶化エネルギーをEaとしたときに、エネルギー密度Ea以上の第一の領域と、該第一の領域の両側に位置するエネルギー密度Ea未満の第二の領域とを有すること。(B)前記第二の領域に含まれ、前記第一の領域と前記第二の領域との境界点から1μmにわたる境界領域において、エネルギー密度勾配の絶対値が20〜300J/cm3であること。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/268 F
, H01L 21/20
5F052AA02
, 5F052BA01
, 5F052BA07
, 5F052BB07
, 5F052CA04
, 5F052CA07
, 5F052CA08
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052JA01
