Pat
J-GLOBAL ID:200903086224036105
ポジ型フォトレジスト組成物
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000033621
Publication number (International publication number):2001222110
Application date: Feb. 10, 2000
Publication date: Aug. 17, 2001
Summary:
【要約】【課題】 露光光源として遠紫外線、特にKrFエキシマレーザー光を用いた場合、現像欠陥の問題を生じず、しかも半導体製造プロセス上、安定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、(C)分子量が1000以下のカルボン酸無水物、(D)含窒素塩基性化合物、並びに(E)フッ素系及び/又はシリコン系活性剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、(C)分子量が1000以下のカルボン酸無水物、(D)含窒素塩基性化合物、並びに(E)フッ素系及び/又はシリコン系活性剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039 601
, C08L 25/18
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601
, C08L 25/18
, G03F 7/004 503 A
, H01L 21/30 502 R
F-Term (42):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB03
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 4J002AA031
, 4J002BC121
, 4J002EB007
, 4J002EL136
, 4J002EN137
, 4J002EQ017
, 4J002ER028
, 4J002EU028
, 4J002EU048
, 4J002EU078
, 4J002EU118
, 4J002EU138
, 4J002EU148
, 4J002EU187
, 4J002EU227
, 4J002EU238
, 4J002EV217
, 4J002EV237
, 4J002EV297
, 4J002EW177
, 4J002EY007
, 4J002EZ007
, 4J002FD207
, 4J002FD319
, 4J002GP03
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