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J-GLOBAL ID：200903086224476245

半導体レーザモジュ-ル

Inventor：
波若 雅彦

About 波若 雅彦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999164669
Publication number (International publication number)：2000353856
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】中心波長の安定化を図り、低結合損失を実現することができる半導体レーザモジュールの提供。【解決手段】半導体レーザ素子(図1の1)と、レーザ光を光ファイバに集光するレンズ系(図1の2、3)と、所定の波長のレーザ光を透過するバンドパスフィルタ(図1の4)と、光ファイバと、を少なくとも有し、バンドパスフィルタはレーザ光の進行方向に対して任意の角度に傾斜させる機構を有する保持手段によって保持され、光ファイバの導波路中には入射したレーザ光の一部を反射する反射点(図1の6)を有し、反射点と半導体レーザ素子の出射端面との間で共振器が構成されるものである。好ましくは、温度センサの出力により制御ユニットを介して傾斜機構の制御を行う。
Claim (excerpt)：
レーザ光を発する半導体レーザ素子と、前記レーザ光を導く光ファイバと、前記レーザ光を光ファイバに集光する光学系と、前記半導体レーザと前記光ファイバとの間に設けた保持手段によって保持され、前記レーザ光のうち所定の波長の光を透過するバンドパスフィルタと、を少なくとも有する半導体レーザモジュールであって、前記光ファイバの導波路中に、入射したレーザ光の一部を反射する反射手段を有し、前記反射手段と前記半導体レーザ素子のレーザ光出射端面との間で共振器が構成される、ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2)：
H01S 5/14 ,  G02B 6/42
FI (2)：
H01S 3/18 646 ,  G02B 6/42
F-Term (8)：
2H037BA03 ,  2H037CA05 ,  2H037DA03 ,  5F073AA63 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073EA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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