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J-GLOBAL ID：200903086226118540

プラズマエツチング方法及び装置

Inventor： 阿部 雅敏 ,  奥平 定之 ,  小松 英雄 ,  石田 丈繁
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991207432
Publication number (International publication number)：1993029275
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウェーハ面内のエッチングレートの均一性を向上させる。【構成】 一方の電極面に環状部9を設けてウェーハ4周辺部の電極間隔10を狭く、ウェーハ4部分の電極間隔11を広くする。

Claim (excerpt)：

エッチングチャンバ(1)内に設けたウェーハ載置電極(3)とこれに対向する対向電極(2)にそれぞれ個別に交流電力を供給し、エッチングガスを供給してウェーハ(4)をプラズマエッチングする方法において、前記一方の電極面に環状部(9)を設けてウェーハ(4)周辺部の電極間隔(10)を狭く、ウェーハ(4)部分の電極間隔(11)を広くするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 1/08 ,  C23F 4/00