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J-GLOBAL ID：200903086237568785

半導体赤外線検出素子

Inventor： 重中 圭太郎 ,  飯田 義典
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999211286
Publication number (International publication number)：2001044400
Application date： Jul. 26, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 感熱部を大きくすることなく感度の向上をはかることができ、高感度化と高速応答性の向上をはかる。【解決手段】 スタックpn接合型半導体赤外線撮像装置において、SOI基板10のp型Si層13の表面にn型拡散層14を積層する形で形成され、且つ接合面が凹凸に形成されたpn接合部と、このpn接合部を含み、周囲を2本の支持脚21,22で接触する以外、中空構造30によってSi基板11から熱的に分離された感熱部20と、この感熱部20を複数個2次元配列してなる感熱部アレイと、各感熱部20のpn接合部に順方向バイアス電圧を印加する電圧印加機構と、各感熱部20の温度に応じて変化するpn接合部に流れる電流をそれぞれ検出する電流検出機構とを具備してなり、電流検出機構による検出電流の変化に基づいて赤外線像を撮像する。

Claim (excerpt)：

絶縁物上の半導体層に積層する形で形成され、且つ接合面が凹凸に形成されたpn接合部を含む感熱部を、周囲が少なくとも1本の支持脚で接触する以外、中空構造によって半導体基板から熱的に分離するように構成してなり、前記pn接合部に順方向バイアス電圧を印加し、前記感熱部の温度に応じて変化するpn接合部に流れる電流を検出し、検出電流の変化に基づいて赤外線を検出することを特徴とするスタックpn接合型半導体赤外線検出素子。

IPC (2)：

H01L 27/14 ,  G01J 1/02

FI (2)：

H01L 27/14 K ,  G01J 1/02 B

F-Term (18)：

2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA06 ,  2G065BA09 ,  2G065BA34 ,  2G065BC03 ,  2G065BC14 ,  2G065CA12 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118DD02 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10