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J-GLOBAL ID：200903086247262455

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 横山 謙二
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992177894
Publication number (International publication number)：1994021055
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】下層配線と上層配線の接続孔部の抵抗増大が生じることがなく、パーティクルの発生も少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板101上に第1のAl合金102、第1のTiN103を形成し、パターニングを行い第1の配線層とする。層間絶縁膜104を形成し、接続孔105を第1のTiN103を残した状態で形成した後、第2のTiN106を形成する。次に、第2のAl合金107を形成し、第2のTiN106、第2のAl合金107をパターニングし第2の配線層とすることにより、抵抗の増大が生じない接続孔を形成する。【効果】下層配線と上層配線の接続孔部に下層配線上部のTiN膜を残すことにより、接続孔部にTiNを残した場合のようなパーティクルの発生や、オープン不良の発生が生じることがない。信頼性が向上し、高い歩留りが得られる。

Claim (excerpt)：

下層配線層と上層配線層との接続部の配線構造が、上層配線がTiNとAlまたはAl合金との積層膜であり、下層配線の上部にはTiNが存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R