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J-GLOBAL ID：200903086259840756

半導体装置の製造方法

Inventor：
鈴木 芳英

About 鈴木 芳英


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998183465
Publication number (International publication number)：2000021813
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 バリア膜となるTiN膜上に直接Ti膜を形成した場合、ボイドが発生しやすい。これは、バリア膜がバリア性向上処理の際TiN膜とTi膜との界面が酸化されて、濡れ性が悪くなるからである。【解決手段】 表面に拡散層2が形成されたシリコン基板1上に膜厚1.0μm程度の層間絶縁膜3が形成される。公知のリソグラフィ技術、ドライエッチング技術により、拡散層2に達するコンタクトホール4が層間絶縁膜3に形成される。続いて、例えばスパッタリングにより、0.03μm程度の第1のTi膜5、0.15μm程度の第1のTiN膜6が形成される。続いて、TiN膜6のバリア性の向上のために、窒素処理又は窒素及び酸素雰囲気の炉内でアニール処理を行う。この処理により、第1のTiN膜6の膜質が変化し、TiN膜6aとなる。このTiN膜6aは膜中若しくは少なくとも膜表面に酸素を含んでいる。次に、同一雰囲気中で、大気にさらすことなく、0.07μm程度の第2のTiN膜7と0.06μm程度の第2のTi膜8とAl又はAl合金からなるAl系配線膜9a及び9bを形成する。
Claim (excerpt)：
表面に拡散層が形成されたシリコン基板上に堆積した層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、バリアメタルとしての第1の高融点金属膜及び第1の高融点金属の窒化膜を形成し、熱処理により、上記第1の高融点金属の窒化膜のバリア性を向上させる工程と、第2の高融点金属の窒化膜及び第2の高融点金属膜及び第1のアルミニウムを含む配線膜を順次同一雰囲気中で形成した後、第2のアルミニウムを含む配線膜を上記コンタクトホールに埋設する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768
FI (2)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C
F-Term (17)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  5F033AA04 ,  5F033AA64 ,  5F033AA67 ,  5F033AA73 ,  5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033BA25 ,  5F033BA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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