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J-GLOBAL ID：200903086268396729
低温ポリシリコン薄膜トランジスタのレーザアニーリング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996107360
Publication number (International publication number)：1997293687
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 エキシマレーザビームにより同時に異なる移動度の多結晶Siにアニールすることができるレーザアニール方法を提供する。【解決手段】 膜トランジスタを形成する基板上のアモルファスシリコン膜をレーザ照射によりポリシリコン化して低温ポリシリコン薄膜トランジスタを製造するにあたり、エキシマレーザ発振器から放射されたレーザビームを、フーリエ変換型位相ホログラムを用い、遠視野で複数の点を所望の位置で所望の位相で結像させ、任意の形状で、かつそのビーム強度分布を被ポリシリコン化部の所望の移動度変化に相応するように整形する整形ステップと、前記レーザビームを所定の整形パターンで基板上に結像形成し、該レーザビームを前記基板に対し相対的に移動させ、前記被ポリシリコン化部の全域を照射する照射ステップとを含むことを特徴とするレーザアニーリング方法をにある。
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタを形成する基板上のアモルファスシリコン膜をレーザ照射によりポリシリコン化して低温ポリシリコン薄膜トランジスタを製造するにあたり、エキシマレーザ発振器から放射されたレーザビームを、フーリエ変換型位相ホログラムを用い、遠視野で複数の点を所望の位置で所望の位相で結像させ、任意の形状で、かつそのビーム強度分布を被ポリシリコン化部の所望の移動度変化に相応するように整形する整形ステップと、前記レーザビームを所定の整形パターンで基板上に結像形成し、該レーザビームを前記基板に対し相対的に移動させ、前記被ポリシリコン化部の全域を照射する照射ステップとを含むことを特徴とするレーザアニーリング方法。
IPC (5)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 B
, H01L 21/268 Z
, H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
