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J-GLOBAL ID：200903086277855094

ITO焼結体およびITOスパッタリングターゲット

Inventor： 江島 光一郎 ,  戸石 光輝 ,  岡部 勝明 ,  西村 強 ,  佐藤 伸二 ,  永田 長寿
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997279550
Publication number (International publication number)：1998158827
Application date： Sep. 26, 1997
Publication date： Jun. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ITO膜の安定な形成を可能にするITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 酸化錫4〜15重量%を含む酸化錫と酸化インジウムの混合粉を成形密度45%以上の成形体とした後、酸素含有量20%以上100%未満の焼成雰囲気中において温度1400〜1600°Cで焼成し、相対密度88%以上で酸素含有量が15.5〜17.0重量%のITO焼結体を得る。該焼結体をターゲットとして用いてアルゴン・酸素混合ガス中でスパッタリングを行うと黒化が抑制され、混合ガス中酸素比率の最適範囲を0.6〜3.0%と広くとって安定なスパッタリングを行うことができる。

Claim (excerpt)：

相対密度88%以上であり、酸素含有量が15.5〜17.0重量%であることを特徴とするITO焼結体。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C04B 35/64 ,  C23C 14/08 ,  C30B 29/22

FI (5)：

C23C 14/34 A ,  C01G 19/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C30B 29/22 Z ,  C04B 35/64 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 陰極スパッタリングのためのスパッタ用ターゲットおよび該スパッタ用ターゲットの製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-050130   Applicant：ライボルトマテリアルスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• マグネトロンスパッタ法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-210613   Applicant：アネルバ株式会社