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J-GLOBAL ID:200903086288266589

積層磁性体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 穂上 照忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992121727
Publication number (International publication number):1993315134
Application date: May. 14, 1992
Publication date: Nov. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】相安定性の高い交換相互作用膜を有する積層磁性体の製造。【構成】Ni-Fe系合金の磁性材料に、Mnを35〜40原子%を含有するPd-Mn系合金膜をイオンビームスパッタリング法により積層し、その後に磁場中で熱処理をすることを特徴とする積層磁性体の製造方法。上記の製造方法においては、Ni-Fe系合金の磁性材料にアシストイオンビームを照射することが望ましい。
Claim (excerpt):
Ni-Fe系合金の磁性材料に、Mnを35〜40原子%を含有するPd-Mn系合金膜をイオンビームスパッタリング法により積層し、その後に磁場中で熱処理をすることを特徴とする積層磁性体の製造方法。
IPC (5):
H01F 10/14 ,  C23C 14/16 ,  C23C 14/46 ,  C23C 14/58 ,  H01F 41/18

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