Pat

J-GLOBAL ID：200903086302781475

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994128592
Publication number (International publication number)：1995335622
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 PZT等の強誘電体薄膜を用いた半導体装置の電極等に用いる、RuO2 層の異方性ドライエッチング方法を提供する。【構成】 S2 F2 等、プラズマ中に遊離のイオウを放出しうるフッ化イオウ系化合物を含むエッチングガスを用いて、基板温度を特定範囲に加熱制御しつつ、RuO2 層3をドライエッチングする。【効果】 イオウあるいはポリチアジル等のイオウ系化合物の堆積を側壁保護膜5として利用するので、異方性が向上する。特定温度範囲の基板加熱を行うので、実用的なエッチングレートが得られる。エッチング終了後は側壁保護膜を基板加熱により昇華除去するので、パーティクル汚染の虞れがない。

Claim (excerpt)：

被エッチング基板を90°C以下に制御し、かつ該被エッチング基板上にイオウを堆積させながら、放電電離条件下でプラズマ中に遊離のイオウを放出しうるフッ化イオウ系化合物を含むエッチングガスを用いて、酸化ルテニウム層をエッチングすることを特徴とする、酸化ルテニウム層のドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 D