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J-GLOBAL ID：200903086311330737

薄膜キャパシタおよび集積回路

Inventor： 山道 新太郎 ,  佐久間 敏幸 ,  宮坂 洋一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147020
Publication number (International publication number)：1994314768
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 下部電極の側面からの酸化を抑えるとともに隣合う2つのキャパシタ間のカップリング容量を低減する。【構成】 基板401上に下部電極402、高誘電率の誘電体403、上部電極404が順次積層された薄膜キャパシタであって、所望の形状に加工した下部電極の表面が露出するように下部電極周辺が層間絶縁膜405により覆われていて、該層間絶縁膜がシリコン窒化膜からなることを特徴とする薄膜キャパシタおよびこの構造のキャパシタが1つの基板上に複数個設けられた薄膜キャパシタ集積回路。

Claim (excerpt)：

基板上に下部電極、高誘電率の誘電体、上部電極が順次積層された薄膜キャパシタであって、所望の形状に加工した下部電極の表面が露出するように下部電極外周側面が層間絶縁膜により覆われており、該層間絶縁膜がシリコン窒化膜からなることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-014453
  
• 特開平4-098871
  
• 特開平3-076262