Pat
J-GLOBAL ID：200903086314238041
半導体放射線検出素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994000652
Publication number (International publication number)：1995202246
Application date： Jan. 10, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】半導体基板とその上の非晶質カーボン膜間のヘテロ接合を利用した放射線検出素子において、斜めに入射する放射線の減衰が多いことによる分解能の低下を防ぐ。【構成】放射線、特にα線の減衰の少ない非晶質カーボンは、耐薬品性にもすぐれているので、保護層にもこれを用い、しかも放射線入射窓を構成する層の全膜厚を1.6μm以下にすることにより、α線検出素子に要求される2%以下の分解能が確保できる。また、障壁層の厚さを2〜500nmにすると、均一で完全な接合構造ができる。
Claim (excerpt)：
第一導電形の半導体基板の一面上に非晶質カーボンよりなる障壁層、金属電極層および保護層が順次積層され、他面上にオーム性接触する裏面電極層が被着され、金属電極層と裏面電極層間に印加される電圧により半導体基板と障壁層間の接合から半導体基板に広がる空乏層に半導体基板の一面側から入射する放射線により生成される電子・正孔対に基づき放射線を検出するものにおいて、障壁層、金属電極層および保護層の全膜厚が1.6μm以下であることを特徴とする半導体放射線検出素子。
IPC (2)：
Return to Previous Page
