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J-GLOBAL ID：200903086319116920
MgB2の高密度化超伝導塊状体の製造方法、その関連した固体最終生成物及びそれらの使用
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：
熊倉 禎男
, 小川 信夫
, 箱田 篤
, 浅井 賢治
, 平山 孝二
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002590428
Publication number (International publication number)：2005508278
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
理論値に近い密度を有する、MgB2の超伝導塊状体を製造するための方法が開示され、該方法は次の工程:活性化粉末の形成を伴う結晶ホウ素の機械的活性化;結晶ホウ素の活性化粉末の多孔予成形品の形成;該多孔ホウ素予成形品と金属マグネシウムの塊状前駆体とを容器内で一緒にして、不活性ガスの雰囲気又は低い酸素含量の雰囲気においてそれらをシールすること;上記のように一緒にされたホウ素とマグネシウムを30分以上の間、700°Cよりも高い温度で熱処理して、その結果として該活性化結晶ホウ素粉末を通して液相のマグネシウムをパーコレーションさせること、を含む。
Claim (excerpt)：
理論値に近い密度を有する、MgB2の超伝導塊状体を製造する方法であって、下記の工程:
a)活性化粉末の形成を伴う結晶ホウ素の機械的活性化;
b)結晶ホウ素の活性化粉末の多孔予成形品の形成;
c)該多孔ホウ素予成形品と金属マグネシウムの塊状前駆体とを容器内で一緒にして、不活性ガスの雰囲気又は低い酸素含量の雰囲気においてそれらをシールすること;
d)上記のように一緒にされたホウ素とマグネシウムを30分以上の間、700°Cよりも高い温度で熱処理して、その結果として該活性化結晶ホウ素粉末を通して液相のマグネシウムをパーコレーションさせること
を含む方法。
IPC (3)：
C01B35/04
, C01G1/00
, H01B13/00
C01B35/04 C
, C01G1/00 S
, H01B13/00 565Z
4G047JC16
, 4G047KA01
, 4G047KA18
, 4G047KB12
, 4G047KB13
, 4G047KB17
, 4G047LB01
, 4G047LB10
, 5G321AA98
, 5G321DA99
, 5G321DB02
