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J-GLOBAL ID：200903086330797808

中性粒子ビームエッチング装置

Inventor： 下川 浩一
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992184824
Publication number (International publication number)：1994029251
Application date： Jul. 13, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体の製造工程のエッチング工程において、高速中性粒子を利用したエッチング装置に関するものであり、イオンビームの中性化率を高め、チャージアップによるウエーハ表面の電気的損傷を低減させることを目的とする。【構成】負イオン源12から加速電極13より引出された負イオン14に光源15から出力される光子16を衝突させることにより中性化率を高め、この中性化された高速中性粒子17をウエーハ21の表面に衝突させる構成としている。

Claim (excerpt)：

負イオンビームを発光させる手段と、光子を放射する手段と、前記負イオンビームに光子を照射して高速中性粒子をつくる手段と、前記高速中性粒子をウエーハ表面に衝突させる手段を有する中性粒子ビームエッチング装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/263