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J-GLOBAL ID:200903086337315523

レジストパターン形成方法および金属パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995025131
Publication number (International publication number):1996220770
Application date: Feb. 14, 1995
Publication date: Aug. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 基材上に形成する金属膜の端部にノイズ発生などのデバイス特性低下の要因となる鈎状突起がなく、表面が極めて平滑な金属膜を得るためのレジストパターン形成方法および金属パターン形成方法を提供する。【構成】 基材上に予め前処理としてポリアミド酸塗膜を形成し、その上にブタジエン系のフォトレジストを塗布形成する。次いで、フォトマスクを介してレジスト上に活性光線を照射したのち、現像処理および下層のポリアミド酸塗膜のエッチングを行い、レジストパターンを形成する。さらにポリアミド酸塗膜のエッチングによって露出した基材表面にスパッタリングによって金属膜を形成し、薬液によって基材上に残存するレジストおよびポリアミド酸塗膜を剥離除去して金属パターンを形成する。
Claim (excerpt):
下記(a)〜(d)工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。(a)基材上にポリアミド酸溶液を塗布、乾燥してポリアミド酸塗膜を形成する工程、(b)形成した塗膜上にフォトレジストを塗布する工程、(c)フォトマスクを介してフォトレジストに活性光線を照射後、現像して所望のレジストパターンを形成する工程、(d)アルカリ性薬液によって露出したポリアミド酸塗膜のみをエッチングする工程。
IPC (3):
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H05K 3/02
FI (3):
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H05K 3/02 A

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