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J-GLOBAL ID：200903086337719209

透明導電膜およびその製造方法並びにその用途

Inventor： 中澤 弘実 ,  内海 健太郎 ,  長崎 裕一 ,  黒澤 聡
Applicant, Patent owner： ジオマテック株式会社 ,  東ソー株式会社
Agent (1)： 岸田 正行 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000237398
Publication number (International publication number)：2002050231
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 膜表面が平坦で抵抗率の低い結晶質の酸化インジウム系透明導電膜を提供する。【解決手段】 実質的にIn、Ge及びOからなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつZ-max/tが10%以下(但し、Z-max:表面凹凸の最大高低差、t:膜厚)の透明導電膜であり、Ge/(In+Ge)は原子比で4.0〜9.0%が好ましく、このような導電膜は、焼結密度90%以上のIn-Ge-Oスパッタリングターゲットを用い、dcにrfを重畳させた電力を印加してスパッタリングすることにより得ることができる。

Claim (excerpt)：

実質的にインジウム、ゲルマニウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつZ-max/tが10%以下(但し、Z-max:表面凹凸の最大高低差、t:膜厚)であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (5)：

H01B 5/14 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503

FI (5)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J

F-Term (20)：

4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030BA16 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC05 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05