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J-GLOBAL ID：200903086339449977

揮発性メモリセル及び製造方法

Inventor： アレクサンダー カルニトスキ
Applicant, Patent owner： エスジェエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317760
Publication number (International publication number)：1995211797
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明はコンデンサを必要しない、小型で高速な揮発性メモリセル及び製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置は半導体基板と絶縁ゲート電解効果トランジスタのゲート絶縁層の間のインターフェースでの電荷トラップが組み込まれて、その装置は任意の時間に電荷トラップで電荷を反転させることができる。揮発性メモリ回路は単一のトランジスタに要求される領域のみを占める各セルを提供できる。

Claim (excerpt)：

絶縁層(12)での電荷トラップ(Et )を有する絶縁ゲート電解効果トランジスタを含む揮発性メモリセルにおいて、前記電荷トラップ(Et )は半導体層(13)と絶縁層(12)の間にピーク濃度近く又は隣接するインターフェース(15)を有することを特徴とする揮発性メモリセル。

IPC (6)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 321 ,  H01L 29/78 371