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J-GLOBAL ID：200903086352458039

膜の形成方法及び薄膜トランジスタの作成方法及び液晶装置の作成方法及び太陽電池の作成方法

Inventor： 菅 勝行 ,  田中 勉 ,  梁井 健一 ,  大形 公士 ,  富塚 則夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140856
Publication number (International publication number)：1994124910
Application date： Jun. 11, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】平行平板型プラズマ化学気相成長装置により形成される多元系の半導体膜又は絶縁膜の作成方法に関し、半導体膜のバンドギャップを大きくし、かつ導電率を向上することができ、また、絶縁膜の膜質の向上を図る。【構成】水素ガス及び水素化合物からなる2種類以上の原料ガスを用い、対向する電極22,28間のガス活性部で活性化された、水素ガス及び原料ガスの少なくともいづれかを含む活性化ガスにより、各原料ガスの構成元素の少なくとも1つ含む膜を被形成体31上に形成する膜の形成方法であって、ガス活性部を水素ガスを定常的に導入するとともに、原料ガスを活性化する期間には少なくとも活性化すべき原料ガスを含み、かつ活性化すべき原料ガスを構成する水素化合物の結合エネルギよりも小さい結合エネルギの水素化合物を有する他の原料ガスを含まないように、2種類以上の原料ガスのうちから順次1種類以上のガスを選択して活性部で活性化することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

水素,ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトン及びキセノンのうち少なくともいずれかを含むガス、及び水素化合物からなる2種類以上の原料ガスを用い、電力を印加すべき対向する電極間のガス活性部で活性化された、前記ガス及び前記原料ガスのうち少なくともいずれかを含む活性化ガスにより、前記各原料ガスの構成元素をそれぞれ少なくとも1つ含む膜を被形成体上に形成する膜の形成方法であって、前記ガス活性部に前記ガスを定常的に導入するとともに、活性化すべき原料ガスを活性化する期間には少なくとも活性化すべき前記原料ガスを含み、かつ該活性化すべき原料ガスを構成する水素化合物の結合エネルギよりも小さい結合エネルギの水素化合物を有する他の原料ガスを含まないように、前記2種類以上の原料ガスのうちから順次1種類以上の原料ガスを選択して前記ガス活性部に導入し、活性化することを特徴とする膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784