半導体プロセスの終点検出

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000545188
Publication number (International publication number)：2002512447
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Apr. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体プロセスの終点検出【解決手段】プロセスチャンバ42内の基板20は、基板20上の層30を処理するために適切なプロセス条件で処理され、このプロセス条件は、処理ガスの組成及び流量、処理ガスエネルギー印加装置の電力レベル、処理ガスの圧力及び基板温度の1つ以上を備える。基板20上の層30から反射される反射光ビーム78の強度を経時的に測定し、測定された波形パターンを決定する。測定された波形パターンを予め定められた特性波形パターンと比較し、2つの波形パターンが同一又は実質的に同一の場合、プロセス条件を変更し、層30全部が完全に処理される前に、基板20の層30のプロセス速度又はプロセス選択性比を変える。

Claim (excerpt)：

プロセスチャンバ内で基板を処理する方法であって、(a) 層を有する基板をプロセスチャンバに配置するステップと、(b) プロセスチャンバ内にプロセス条件を維持して基板上の層を処理するステップであって、該プロセス条件は、ガス組成及び流量と、ガスエネルギー印加装置への動作電力と、ガス圧力と、基板温度との1つ以上を有する、前記ステップと、(c) 前記ステップ(b)の間、基板上の層から反射された光ビームの強度を経時的に測定して、測定された波形パターンを得すステップと、及び(d) 測定された波形パターンを予め定められた特性波形パターンと比較し、2つの波形パターンが実質的に同じである場合に、プロセス条件を変えて、全体の層が完全に処理される前に、基板上の層の処理する速度を変えるステップとを有する方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G01B 11/06 , H01L 21/66

FI (3)：

G01B 11/06 Z , H01L 21/66 P , H01L 21/302 E

F-Term (59)：

2F065AA30 , 2F065BB02 , 2F065CC19 , 2F065DD00 , 2F065FF53 , 2F065GG03 , 2F065GG04 , 2F065GG25 , 2F065HH04 , 2F065HH13 , 2F065JJ01 , 2F065JJ09 , 2F065JJ18 , 2F065LL02 , 2F065LL12 , 2F065NN06 , 2F065PP22 , 2F065QQ25 , 2F065RR06 , 2F065UU05 , 2F065UU07 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106DH03 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DH38 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BC02 , 5F004BC03 , 5F004CB16 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA11 , 5F004DA13 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA20 , 5F004DA22 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB04 , 5F004DB06 , 5F004DB07

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